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Samsung scopre nuovo materiale per i semiconduttori

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Samsung ha annunciato la scoperta congiunta di un nuovo materiale chiamato nitruro di boro amorfo (a-BN). I suoi ricercatori al Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) ha collaborato con l’Istituto Nazionale di Scienza e Tecnologia di Ulsan (UNIST) e l’Università di Cambridge per effettuare la scoperta. I collaboratori hanno pubblicato i loro risultati sulla rivista Nature e credono che il materiale “accelererà l’avvento della prossima generazione di semiconduttori”.

Spiegazione del nitruro di boro amorfo recentemente scoperto, Samsung detto che è costituito da atomi di boro e azoto con una struttura molecolare amorfa. La ditta coreana ha affermato che il nuovo materiale è derivato dal grafene bianco ma che la diversa struttura molecolare rende a-BN “unicamente distintivo” dal grafene bianco.

Samsung ha affermato che a-BN dovrebbe essere ampiamente utilizzato nelle soluzioni DRAM e NAND perché è in grado di ridurre al minimo le interferenze elettriche e può essere coltivato su una scala di wafer a una temperatura relativamente bassa di 400 ° C.

Commentando il materiale, Hyeon-Jin Shin, leader del progetto di grafene e ricercatore principale presso SAIT, ha dichiarato:

“Per migliorare la compatibilità del grafene con i processi a semiconduttore a base di silicio, la crescita del grafene su scala di wafer su substrati semiconduttori dovrebbe essere implementata a una temperatura inferiore a 400 ° C. Lavoriamo costantemente per espandere le applicazioni del grafene oltre i semiconduttori. “

L’azienda non ha dato una data in cui spera di iniziare a utilizzare il nuovo materiale nei suoi prodotti hardware, ma ha detto che sarebbe stato applicato ai semiconduttori, in particolare la soluzione DRAM e NAND, nelle soluzioni di memoria di nuova generazione per server di grandi dimensioni .

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Daniel Akahttps://plus.google.com/106923473571641893009
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