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Galaxy Note 20: Samsung produce già i suoi chip di memoria UFS 3.1 tre volte più velocemente

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I primi chip da 512 GB eUFS 3.1 (per la memoria flash di bordo universale) sono già in produzione presso Samsung, meno di due mesi dopo l’omologazione dello standard UFS 3.1 da parte di JDEC, l’ente di standardizzazione dei semiconduttori. Offrendo una velocità di scrittura tre volte superiore a 512 GB di chip UFS 3.0 , Samsung eUFS 3.1 raggiunge la soglia di prestazioni di 1,2 GB / s per l’archiviazione su smartphone. I chip saranno pronti quest’anno per i prossimi flagship di Samsung, in questo caso il Galaxy Note 20 .

” Con l’introduzione del nostro spazio di archiviazione mobile più veloce, gli utenti di smartphone non dovranno più preoccuparsi del collo di bottiglia che devono affrontare con le schede di memoria convenzionali “, ha affermato Cheol Choi, responsabile marketing dei chip memoria presso Samsung Electronics. ” EUFS 3.1 riflette il nostro costante impegno a sostenere la domanda in rapida crescita da parte dei produttori globali di smartphone quest’anno ” , ha aggiunto.

eUFS 3.1: 1,5 minuti per trasferire 100 GB di file, afferma Samsung

Questo è tre volte più del tempo di trasferimento dello standard UFS 3.0 che troviamo nel cuore degli ultimi smartphone di fascia alta come Galaxy S20, S20 + e S20 Ultra o OnePlus 7 e 7T Pro . In termini di prestazioni casuali, eUFS 3.1 da 512 GB elabora i dati fino al 60% più velocemente rispetto allo standard attuale consentendo 100.000 operazioni di input / output al secondo (IOPS) per le letture e 70.000 IOPS per scritti.

Oltre all’opzione da 512 GB, Samsung lancerà anche la produzione dei chip da 256 GB e 128 GB entro la fine dell’anno. È abbastanza per sollevare un po ‘di più il velo sulle caratteristiche del Galaxy Note 20 che dovrebbe essere lanciato ad agosto o settembre 2020 se tutto va bene.

samsung ufs 3 1
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